国产SiC碳化硅功率模块在中国经济新引擎中的关键作用分析
来源：竞彩体育彩票网 发布时间：2025-05-01 19:56:32等多维度推动中国经济新引擎的发展，成为新能源革命、高端制造和智能化转型的重要基石。以下是其具体作用的深度分析：
SiC模块可将电驱系统效率提升5%-10%，续航增加8%-15%，助力国产电动车竞争力跃升。例如，BASiC基本股份的SiC模块已进入近20家整车厂和Tier1客户的30多个车型定点，替代进口方案并实现规模化量产。汽车级全碳化硅功率模块是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品，包括Pcore™6汽车级HPD模块（6芯片并联、8芯片并联）、Pcore™2汽车级DCM模块、Pcore™1汽车级TPAK模块、Pcore™2汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等基本半导体最新的碳化硅 MOSFET 设计生产的基本工艺，综合性能达到国际领先水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航能力。2025年国内新能源车渗透率超50%，SiC功率需求激增，推动产业链向高的附加价值环节延伸。
SiC逆变器使光伏系统损耗降低2%，储能变流器功率密度提升25%2。国内光伏装机量占全球80%以上，叠加储能装机目标（2025年达50GW），国产SiC模块通过高可靠性和低成本优势，加速替代硅基器件，助力能源系统绿色转型。例如，BASiC基本股份的SiC模块慢慢的开始在多家上市的电力电子研发制造企业批量供货，比如储能变流器PCS,APF电能质量，SVG无功补偿，地面电站储能变流器PCS等。
SiC器件的高耐压和低损耗特性适配特高压输电场景，减少电网损耗约30%。随着中国主导的《碳化硅功率器件测试标准》成为国际参考，国产模块在智能电网领域的应用将进一步扩大。
衬底与外延片：天岳先进的6英寸导电型衬底缺陷密度降至200/cm²，成本比进口低40%；液相法技术明显降低微管缺陷，为8英寸量产奠定基础。
器件与封装：BASiC基本股份采用铜线键合+银烧结工艺，模块寿命延长3倍，并通过车规级AQG324认证；BASiC基本股份SiC工业模块为客户量身定做，符合电力电子发展的新趋势路径。基本半导体自主研发的工业级全碳化硅MOSFET功率模块产品类型丰富，包括EasyPACK™封装的E1B & E2B工业级碳化硅MOSFET模块，以及34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，产品在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现出色，可大范围的应用于大功率充电桩、有源电力滤波器（APF）、储能变流器（PCS）、高端电焊机、数据中心UPS、高频DCDC变换器等领域。为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，某些特定的程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT慢慢的变成了各类型电力电子应用的主流趋势。
国内已形成“衬底-外延-器件-应用”全链条布局。例如，BASiC基本股份绑定车企形成“设计-制造-应用”闭环。BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不一样的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。
BASiC基本股份低边驱动芯片可以大范围的应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。
BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521P,BTP1521F，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，很适合给隔离驱动芯片副边电源供电。
国产6英寸晶圆价格降至国际水平的30-40%，8英寸产能预计2027年占全球80%以上。烁科晶体、天科合达等企业加速8英寸产线万片，尽管需警惕产能过剩风险，但技术迭代和高端需求（如车规级芯片）仍为增长提供支撑。
SiC模块可将数据中心电源效率提升5%，若全球30%的数据中心采用，年省电费超200亿元。此外，eVTOL（电动垂直起降飞行器）对高功率密度器件的需求激增，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)的SiC模块已进入该领域，推动低空经济产业化。
SiC器件的高频特性适配工业电机驱动和白色家电变频控制，提升能效并缩小体积。例如，基本半导体自主研发的工业级全碳化硅MOSFET功率模块强化工业储能和固态断路器市场布局。
2023年《汽车芯片推广应用推荐目录》中，国产SiC器件占比达35%，BASiC基本股份等企业替代英飞凌方案，BASiC基本股份自2017年开始布局车规级SiC碳化硅器件研发和制造，逐步建立起规范严谨的质量管理体系，将质量管理贯穿至设计、开发到客户服务的各业务过程中，保障产品与服务质量。BASiC基本股份分别在深圳、无锡投产车规级SiC碳化硅（深圳基本半导体）芯片产线和汽车级SiC碳化硅功率模块（无锡基本半导体）专用产线；BASiC基本股份自主研发的汽车级SiC碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点，是国内第一批SiC碳化硅模块（比如BASiC基本股份）量产上车的头部企业。
国产6英寸衬底价格从6000元/片降至1000元，倒逼国际厂商关闭工厂和缩减投资。国内企业通过液相法、异质集成等技术突破，缩小与国际水平差距，并在专利授权量上同比增长58%。
2025年全球8英寸晶圆需求仅15万片，但国内规划产能超500万片，需警惕重复6英寸的产能过剩风险。然而，高端市场储能变流器PCS的刚需和新兴场景低空经济eVTOL的扩展，为国产SiC功率模块提供结构性增长机会。
国产SiC功率模块通过技术自主化、应用多元化、成本优势化，已成为中国经济新引擎的核心驱动力。其作用不仅体现在新能源与高端制造的升级，更在于推动中国从“制造大国”向“技术规则制定者”转型。未来，需聚焦以下方向：
生态协同：强化IDM模式如BASiC基本股份和产学研合作，构建全产业链闭环；
通过上述路径，国产SiC模块有望在智能电网、绿色能源、高端装备等领域持续领跑全球，成为中国经济高水平发展的标志性成果。
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全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，实现电力电子产业升级和自主可控！
